소프트뱅크-인텔, HBM 대체할 차세대 메모리 공동 개발

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인공지능, 데이터 분석

대상자

반도체 및 인공지능 분야의 기술 담당자, 산업 전략 수립자, 연구 및 개발 인력

핵심 요약

• 소프트뱅크와 인텔이 HBM을 대체할 3D 스택형 DRAM 기반 차세대 메모리 개발을 추진 중
• 2027년까지 시제품 완성, 2030년 전 상용화 목표로 일본 반도체 산업 부활에 주목
• 전력 소모를 HBM 대비 절반으로 줄이는 기술로 AI 데이터센터 경쟁력 강화 예상
• 일본 정부는 2030년까지 10조엔 이상 투자 계획 발표, 반도체 산업 재건에 집중

섹션별 세부 요약

1. 공동 개발 프로젝트 개요

• 소프트뱅크와 인텔은 사이메모리라는 신규 반도체 개발사를 설립하여 3D 스택형 DRAM 기반 메모리 개발을 추진 중
• 도쿄대학교의 특허와 인텔의 기술을 접목한 개발 방식
• 2027년까지 시제품 완성, 2030년 이전 상용화 목표

2. 차세대 메모리 기술의 특징

• HBM 대비 전력 소모 절반으로 줄이는 기술 개발 중
• 3D 스택형 DRAM 구조로 칩 간 배선 효율성 향상
• AI 데이터센터에 적합한 전력 효율성 강화

3. 일본 반도체 산업의 재건 노력

• 일본 정부는 2030년까지 반도체 및 AI 분야에 10조엔 이상 투자 계획
• 현재 HBM 시장은 SK하이닉스, 삼성전자, 마이크론 등 3개 기업이 독점
• 일본은 1980년대 이후 메모리 반도체 분야에서 시장에서 사실상 퇴출된 상태

4. 경쟁사 동향 및 시장 전망

• 삼성전자, NEO 세미컨덕터 등도 3D 스택형 DRAM 개발 중
• 하지만 주로 용량 확장에 초점
• BCG 예측: AI 서버 출하량 2023~2027년 6배 증가, DRAM 출하량 연평균 21% 증가 예상

결론

소프트뱅크와 인텔의 차세대 메모리 개발은 AI 데이터센터에 전력 효율성을 크게 향상시키며, 일본의 반도체 산업 재건에 중요한 전략적 의미를 지닌다. 기술 개발과 함께 정부의 재정 지원 및 시장 확대 전략이 성공의 열쇠가 될 것으로 예상된다.